60나노급 2기가 D램 세계 최초개발

삼성전자, 2기가비트 DDR2 D램 개발

[프라임경제]우리나라가 세계 최초로 60나노급 공정을 적용한 2기가비트 DDR2 D램 개발에 성공하고 인텔 인증을 획득했다. 삼성전자는 올해 말부터 이 제품의 양산을 개시할 예정이다.
올해 3월 60나노급 1기가비트 DDR2 D램을 세계 최초로 양산한 삼성전자는 기존에 이미 양산 중인 512메가비트 D램을 포함하여 이번에 2기가비트 제품까지 확보하게 됨으로써, 올해 말 DDR2 D램 全 제품에 대해 업계 유일하게 60나노급 제품으로 양산 전환 완료하게 된다.

이번에 개발한 60나노급 2기가 D램은 2004년 개발한 80나노 2기가 D램의 최대 속도인 667Mbps(초당 667메가비트의 데이터 처리) 대비 20% 가량 성능이 향상된 800Mbps 구현이 가능하고, 생산성도 40% 이상 향상되었다.

이번에 개발된 2기가비트(Gb) DDR2 D램은 8기가바이트(GB) 서버용 모듈 (FBDIMM, RDIMM)과 워크스테이션, 데스크탑 PC, 노트북 PC 등에 탑재되는 4기가바이트 모듈 (UDIMM, SODIMM) 등 기존 대비 메모리 용량을 2배로 높일 수 있는 솔루션을 제공하여 메모리 용량 확대를 가속화 시킬 것으로 예상된다.

또한 기존에 1기가 D램 36개로 구성된 4기가바이트 D램 모듈을 2기가 18개로 대체할 수 있기 때문에, 1기가 D램으로 구성된 모듈 대비 30% 이상 전력을 절감할 수 있고, 그에 따라 시스템 작동시 발열량을 줄이고 신뢰성을 크게 향상시킬 수 있다.

삼성전자는 60나노급 1기가 DDR2 D램을 필두로 올해 하반기부터 D램 시장 주요 제품을 기존 512메가에서 1기가로 전환을 주도하고 있으며, 이번에 개발한 60나노급 2기가 D램과 같이 기술 경쟁력을 바탕으로 한 고용량/고성능 고부가가치 제품을 통해 D램 시장을 주도해 나갈 계획이다.