웨이비스, L-SAM 핵심 RF GaN 반도체 국산화 개발 본격화…국내 공급 기반 확보

칩부터 패키지트랜지스터·고출력증폭보드·체계 구성품까지 단계별 체계 적용성 검증

칩부터 패키지트랜지스터·고출력증폭보드·체계 구성품까지 단계별 체계 적용성 검증

ⓒ 웨이비스

[프라임경제] RF 질화갈륨(GaN) 반도체 전문기업 웨이비스(289930)가 장거리 지대공유도무기체계(L-SAM) 다기능레이더(MFR)에 적용되는 핵심 RF GaN 칩(HEMT, High Electron Mobility Transistor) 국산화를 위한 기술 개발을 본격화한다고 15일 밝혔다.

RF GaN 반도체는 레이더 송신부에서 높은 출력과 효율, 고전압 동작 특성을 구현하는 핵심 부품이다. 

특히 방산 분야에서는 장기간 안정적인 부품 공급과 후속 군수지원이 중요한 만큼, 해외 공급망 변화 및 수출 통제 등 조달 불확실성을 줄이기 위해 핵심 RF 반도체의 국내 공급 기반을 확보하는 것이 중요하다.

웨이비스는 지난 7월23일 일반부품 국산화 개발협약을 체결한 데 이어, 8월21일 국방기술진흥연구소 관계자들과 착수회의를 열고 개발 범위와 단계별 시험·검증 계획을 구체화했다.

이번 개발 대상은 L-SAM 다기능레이더 송신부 고출력증폭보드에 적용되는 S대역 고출력 RF GaN HEMT 칩이다. 현재 해외 부품에 의존하고 있는 핵심 RF 반도체를 국내 기술로 대체해 안정적인 공급 기반을 확보하고, 장기간 운용되는 무기체계의 후속 군수지원 역량을 강화하는 것이 목표다.

웨이비스는 국내 생산시설을 기반으로 RF GaN HEMT 칩의 설계와 제조를 수행하고, 개발 칩을 적용한 내부정합형 트랜지스터(IMFET)와 고출력증폭보드를 제작해 실제 체계 적용 가능성을 검증할 계획이다.

검증은 △칩 단위 전기적·RF 특성 평가 △IMFET 출력 및 효율 검증 △고출력증폭보드 최적화 △L-SAM 체계 구성품 연계시험 순으로 진행된다. 특히 국산 칩의 소자 특성에 맞춰 패키지와 보드 설계를 함께 최적화해 기존 체계에서 요구되는 성능을 충족하는 데 중점을 둘 예정이다.

개발이 완료되면 웨이비스는 L-SAM 유지·보수에 필요한 수요에 우선 대응하고, 국산화 인증 및 규격화 절차를 거쳐 후속 양산과 국내 및 수출향 유사 레이더·유도무기체계로 적용 범위를 확대해 나갈 계획이다.

웨이비스 관계자는 "이번 사업은 국산 RF GaN 반도체의 적용 영역을 지상 방공체계로 확대하는 중요한 계기"라며 "국내 설계·제조 기반과 칩부터 패키지트랜지스터, 고출력증폭보드까지 연계할 수 있는 기술력을 바탕으로 L-SAM 핵심부품의 공급 안정성과 후속 군수지원 역량을 한층 강화하겠다"고 말했다.

한편 웨이비스는 RF GaN 반도체의 설계부터 웨이퍼 제조, 패키징, 모듈 개발까지 연계할 수 있는 국내 유일의 국내 생산 기반을 보유하고 있다. 

또한 한국형 차기 구축함(KDDX)을 비롯해 함정용 다기능레이더 등 주요 방산체계를 대상으로 RF GaN 반도체 및 관련 부품의 국산화를 추진하며 다양한 적용 경험을 축적해 왔다.

이번 L-SAM 일반부품 국산화 개발을 통해 지상 방공체계 분야로 사업 영역을 확대하고, 향후 국산화 인증과 규격화를 기반으로 방산 레이더 및 유도무기체계용 RF 반도체 제품군을 지속적으로 확대해 나갈 방침이다.